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必赢棋牌官方下载“高压大电流NPT-IGBT和FRED芯片”达到世界先进水平

具有自主常识产权的“非穿透型高压大电流绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)芯片系列产品”和“高压大电流外延型超快软恢复二极管(FRED)芯片系列产品”项目2011年10月25日在常州通过来自中国电器工业协会电力电子分会、国家电力电子产品质量监督检验中心、中科院半导体所、清华大学、浙江大学、电子科技大学、北京工业大学和西安工程大学等部门的专家鉴定;部分重点用户代表也参加了本次鉴定会。与会专家一致认为:“75A-100A/1200V-1700VNPT-IGBT芯片”达到国际同类产品的先进水平,其中1200V产品的部分主要性能指标超过国际同类产品的先进水平;“2A-200A/200V-1200V超快软恢复外延型二极管芯片”性能指标达到国际同类产品的先进水平。产品已经实现规模化生产,市场反映良好,已经批量替代进口产品。

具有国际先进水平的国产必赢棋牌官方下载系列非穿透型高压大电流电力半导体NPT-IGBT和FRED芯片的研制成功,将我国IGBT和FRED的研发和生产水平提高到了一个新的高度,是我国在IGBT 和FRED芯片产业化方面迈出的重要一步。产品可广泛应用于国防、民用工业,医学、交通及新能源、智能电网等领域。大大减少了我国电力电子系统与装置对国外产品的依赖性。减少系统与装置的成本,增加产品在国内外市场的竞争性。有助于电力电子产品这一绿色节能器件在我国不同行业、不同区域的推广应用。有助于推动我国传统产业的更新换代和减少工业污染,提高电能和其它资源的使用效率。


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